致能開發了專為高壓（650V）器件的6/8英寸GaN外延緩沖技術。優化的高壓緩沖設計可提供低漏電流、高擊穿電壓、低緩沖層色散以及低翹曲的外延性能。
致能半導體可以支持各種各樣的帽層和勢壘層組合，以適應特定的需求或應用，包括鈍化或GaN帽層的標準d-mode HEMT結構，以及帶有p-GaN帽層的標準E-mode結構，可實現出色的器件性能和可靠性。
高均勻性、高產量、廉價的襯底和簡單的外延工藝的優勢將推動降低成本，使GaN HEMTs能夠應用于更廣泛的領域。
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